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101.
该文介绍了一种以过氧化氢代替过硫酸铵作氧化剂对EDTA配位滴定法测定镍钴电镀液中钴含量的方法的改进,通过对试样的分析,获得满意结果。  相似文献   
102.
目的 合成一种新的水溶性水合鸢尾异黄酮磺化衍生物[K(H2O)](C17H13O6SO3),并确定其分子结构.方法 在60 ℃条件下用浓H2SO4磺化30 min,得到尼泊尔鸢尾异黄酮磺化物,并用体积比为 1/1 的乙醇-水溶液培养单晶,采用X-射线四圆衍射、IR和元素分析等方法表征其结构.结果 和结论将尼泊尔鸢尾异黄酮在60 ℃用浓硫酸磺化,高选择性地在底物B环的3′位引入一个磺酸基,合成了水溶性尼泊尔鸢尾异黄酮衍生物,产率为82%.该合成方法简单,反应条件温和,选择性高,产物容易分离,且产率较高,是合成标题化合物一种理想的方法.X-射线晶体结构表明该化合物属于单斜晶系,空间群P21m,晶胞参数a=0.835(4) nm,b=0.728(3) nm,c=3.000(14) nm,β = 96.09(7)°,V=1.814(15) nm3,Dc=1.650 g·cm-3,Z=4.在化合物的晶体结构中, 相邻的钾离子之间被O6,O7和O8桥链形成聚八面钾离子链.此外,化合物中还存在多个氢键,这使化合物自组装成一个三维网格结构的超分子.  相似文献   
103.
Benzimidazolium-based receptors 1-3 were designed and synthesized. On the basis of fluorescence, UV-Vis, and 1H NMR spectroscopic studies, and X-ray single crystal structure analysis, it was confirmed that the receptor 1 displays strong (C-H)+···X, N-H···X hydrogen bonds and charge-charge interactions with anions. More importantly, these investigations demonstrated that the charged (C-H)+ benzimidazolium and urea moieties play a synergistic role in anion recognition.  相似文献   
104.
剧烈进行着热核反应的恒星是一个远离平衡态的开放系统。本文考虑到对流和扩散的因素,研究了氢燃烧的结构稳定性。  相似文献   
105.
实验采用阴极电解预充氢试样拉伸的方法,研究了冷拔变形05Si2铁素体-马氏体型双相钢的氢脆敏感性及断裂行为。发现双相钢氢脆敏感性随着冷拔变形量的增大出现一峰值,以及氢致铁素体基体的脆化现象。  相似文献   
106.
用重量法真空吸附装置,在310~420K 和3000~20000Pa 条件下,研究了羰基硫在 TGH 催化剂上的吸附等温线和吸附动力学.非线性回归和模型优选表明,吸附等温线符合 Freundlich 方程;吸附动力学符合管孝男速率方程。研究表明,催化剂上的能量呈不均匀的指数分布,秽基硫在表面进行解离型的不可逆化学吸附,吸附热效应为负值。  相似文献   
107.
本文通过对H_2O_2分解动力学性质的研究与溶液表面张力及稳态极化曲线的测定,探讨了H_2O_2在NiSO_4-Na_2SO_4-NaCl-H_3BO_4体系中的行为以及H_2O_2抑制氢气生成的根本原因,并提出有H_2O_2存在时,氢在镍电极表面放电符合均相平行转化机理。  相似文献   
108.
本文研究了NdNi_(5-x)Cu_x吸氢性能。实验结果表明NdNi_3Cu_2和NdNi_5在饱和吸氢量、吸氢动力学曲线以及解吸等温线都很接近。当NdNi_(5-x)Cu_x中x增至4时仍具有吸氢性能而NdCu_5在相同条件下却并不吸氢。X-射线衍射分析表明它们相应物相(NdNi_(5-x)Cu_x)均属于CaCu_5结构。  相似文献   
109.
用倒扭摆研究了非晶态合金Pd_(77.5)Ag_(6.0)Si_(16.5)的低温内耗和切变模量行为.经电解充氢后在120—130K范围内发现一个弛豫型内耗峰,随氢含量的增加,峰高增大,峰温移向低温,退火去氢后则具有可逆趋势.弛豫激活能为0.28±0.05eV.氢内耗峰的微观机制,是处于四面体或八面体中间隙位置的氢原子应力感生有序.  相似文献   
110.
用电解方法在非晶硅中掺入了原子氢,使非晶硅中悬挂键的ESR信号明显下降,相应悬键密度由2.5×10 ̄(18)cm ̄(-3)下降为8×10 ̄(17)cm ̄(-3).并发现以H_3PO_4为电解液时,对作为阴极的非晶硅和P型单晶硅均有轻度的腐蚀作用,在H_2SO_4中电解,温度高达220℃,对硅也无腐蚀作用.  相似文献   
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